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離子導電陶瓷的性質與哪些因素有關

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以陶(tao)瓷(ci)為材(cai)料的(de)(de)相關制(zhi)品有很多,一(yi)部分是(shi)裝飾用(yong)的(de)(de),一(yi)部分是(shi)工業用(yong)的(de)(de)。裝飾用(yong)的(de)(de)陶(tao)瓷(ci)性能(neng)基(ji)本(ben)都比較簡單,但是(shi)工業用(yong)的(de)(de)不一(yi)樣(yang)了,為了達到某(mou)種使用(yong)要求,陶(tao)瓷(ci)一(yi)定要具備一(yi)些特(te)殊(shu)的(de)(de)功(gong)效。離子導(dao)電陶(tao)瓷(ci)是(shi)工業陶(tao)瓷(ci)中的(de)(de)一(yi)種,這種陶(tao)瓷(ci)材(cai)料有什么缺(que)陷存在嗎?


離子導電陶瓷是內離子會產生定向遷移的陶瓷產品,但是需要有外力的作用,而缺陷的存在提供了高能態離子,同時也提供了更多可為遷移離子占據的空位。關于這方面的缺陷主要包括了空位型缺陷、填隙型缺陷、位錯和晶界、替代型雜質缺陷及電子缺陷等種類,這些都會對離子導電陶瓷的性能產生影響。
而且一般情況下缺(que)陷濃度越高,遷移離子(zi)位置(zhi)的(de)(de)數目(mu)會(hui)越大(da),從而增(zeng)加陶(tao)瓷(ci)載流子(zi)濃度。同時也(ye)會(hui)降低電(dian)導活化能(neng),使陶(tao)瓷(ci)的(de)(de)電(dian)導率大(da)大(da)增(zeng)加。也(ye)是說離子(zi)導體(ti)陶(tao)瓷(ci)的(de)(de)性(xing)質與材料的(de)(de)結構、致(zhi)密(mi)性(xing)等的(de)(de)關系是非常密(mi)切的(de)(de)。

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